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论文类型： 期刊论文

发表时间： 2008-10-03

发表刊物： 半导体技术

收录刊物： PKU、ISTIC、CSCD

卷号： 33

期号： 10

页面范围： 880-884

ISSN号： 1003-353X

关键字： 电子回旋共振.等离子体增强金属有机物化学气相沉积;氮化镓;低温沉积;玻璃衬底

摘要： 采用电子回旋共振.等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化.结果表明,当沉积温度为250-430℃时,得到的GaN薄膜都呈现高度的C轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面形貌较为平整且呈n型导电.