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论文类型： 期刊论文

发表时间： 2008-12-15

发表刊物： 半导体学报

收录刊物： Scopus、EI、CSCD

卷号： 29

期号： 12

页面范围： 2376-2380

ISSN号： 0253-4177

关键字： ECR-PEMOCVD;GaN;低温沉积;玻璃衬底

摘要： 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了高度C轴择优取向的多晶GaN薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED),X射线衍射(XRD)对样晶进行检测,研究了在低温(430℃)沉积中氮气流量对GaN薄膜结品性的影响.并且利用原子力显微镜(AFM)和室温光敏发光(PL)谱研究了薄膜的表面形貌和发光特性,发现薄膜表面形貌较为平整,其发光峰由较强的紫外近带边发光峰和极其微弱的绿光发光峰组成.