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吴爱民
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副教授   博士生导师   硕士生导师

其他任职:辽宁省能源材料及器件重点实验室副主任

性别:男

毕业院校:大连理工大学

学位:博士

所在单位:材料科学与工程学院

学科:材料物理与化学
材料表面工程

办公地点:新三束4#楼311室

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当前位置 : 吴爱民 >> 科学研究 >> 论文成果
ZnO:Al衬底上低温生长GaN薄膜

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发布时间:2019-03-10

论文类型:期刊论文

发表时间:2010-04-15

发表刊物:人工晶体学报

收录刊物:CSCD、ISTIC、PKU、EI

卷号:39

期号:2

页面范围:299-303

ISSN号:1000-985X

关键字:掺铝氧化锌衬底 GaN薄膜 低温生长

摘要:利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了(0002)择优取向的ZnO:Al薄膜.采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在ZnO:Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜.利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光透射谱等表征方法,研究了沉积温度对GaN薄膜的结晶性、表面形貌和透射率的影响.

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