Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2006-01-15
Journal:材料导报
Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD
Volume:20
Issue:1
Page Number:104-108
ISSN No.:1005-023X
Key Words:ZnO薄膜;p型掺杂;第一性原理;MOCVD;MBE
Abstract:ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多优异的的光电性能.但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂.ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题.目前在p型ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展,对此进行了详细的分析与论述,并且展望了p型ZnO薄膜制备的前景.
Professor
Supervisor of Doctorate Candidates
Supervisor of Master's Candidates
Gender:Male
Alma Mater:吉林大学
Degree:Doctoral Degree
School/Department:集成电路学院
Discipline:Circuits and Systems. Microelectronics and Solid State Electronics
Business Address:信息楼207
Contact Information:电话：13180826212
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