王德君

个人信息Personal Information

教授

博士生导师

硕士生导师

性别:男

毕业院校:清华大学

学位:博士

所在单位:控制科学与工程学院

学科:微电子学与固体电子学. 凝聚态物理. 控制理论与控制工程

电子邮箱:dwang121@dlut.edu.cn

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论文成果

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电子回旋共振氮等离子体氧化后退火对4H-SiC MOS电容TDDB特性的影响

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论文类型:期刊论文

发表时间:2015-01-01

发表刊物:固体电子学研究与进展

收录刊物:Scopus、PKU、ISTIC、CSCD

卷号:35

期号:2

页面范围:191

ISSN号:1000-3819

关键字:碳化硅; 金属氧化物半导体电容; 氧化膜经时击穿; 氮等离子体氧

摘要:SiC MOS器件氧化膜可靠性是SiC器件研究中的重要方面。本文对4H-SiC
   MOS结构进行电子回旋共振(ECR)氮等离子体氧化后退火工艺处理,采用阶跃电流经时击穿以及XPS分析的方法对其氧化膜稳定性进行了电学以及物理性质
   方面上的分析。经分析氮等离子体处理8
   min的样品击穿时间和单位面积击穿电荷量都有了明显提高,并且早期失效比率有了明显降低。实验结果表明,经过适当时间的处理,ECR氮等离子体氧化后退
   火工艺可以有效地降低界面缺陷的密度,提高界面处激活能,从而提高绝缘膜耐受电流应力的能力。