|
个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：清华大学
学位：博士
所在单位：控制科学与工程学院
学科：微电子学与固体电子学. 凝聚态物理. 控制理论与控制工程
电子邮箱：
扫描关注
研究领域
1. Semiconductor Defect Physics;
2. Semiconductor Device Physics and Technology;
3. Integrated Circuit Technologies;
4. Sensor Chip, Intelligent electronic safety control
- 刘起蕊.王德君.崔鹏飞,胡灿博,曲德浩.偏压温度应力下SiC MOSFET器件可靠性劣化的物理机制[J],微电子学,2025,55(04):669-677
- 谢威威.李月,秦福文,王德君.白娇.Interface characteristic and performance optimization mechanism for HfOx-based RRAM devices[J],Applied Surface Science,2024,680
- Qian, Qiyuan.Wan, Hanlin,Zheng, Yao,Ma, Haiyan,Wang, Qian,Cai, Jian,王德君.An Insertion-Based Mechanical Interlock Cu-Sn Bonding Structure for Three-Dimensional Integration[A],2024 25th International Conference on Electronic Packaging Technology, ICEPT 2024,2024
- Ma, Yujie.Zhang, Yuan,苏艳,王德君.刘涵,崔鹏飞.拉伸应变下 SiC/SiO2近界面碳缺陷的结构和电学特性演变[J],Research and Progress of Solid State Electronics,2024,44(3):206-212
- 张圆.尉升升,苏艳,王德君.丁攀.偏压应力下 SiC/SiO2界面间隙碳缺陷的结构和电学性质演变[J],Research and Progress of Solid State Electronics,2024,43(3):208-213
- 白娇.Wei, Shengsheng,Li, Yue,秦福文,Ji, Min,王德君.谢威威,曲德浩.Effect of Y-doping on switching mechanisms and impedance spectroscopy of HfO(x)-based RRAM devices.[J],Nanotechnology,34(23)
- 基于沉积技术的SiC MOS 器件栅氧界面应力缺陷及器件可靠性,国家自然科学基金项目,2025-08-27,在研
- 穿戴式离子热电自供能电化学传感器,国家自然科学基金项目,2022-06-06,在研
- 航空发动机多电分布式控制,省、市、自治区科技项目,2018-11-28,2023-09-13,结题
- SRAM型FPGA抗辐照加固设计与验证,企事业单位委托科技项目,2019-01-13,2021-03-12,结题
- 存算一体器件及其计算新架构,国家科技部,2019-09-16,在研
- SiC MOS器件近界面氧化物缺陷与阈值电压漂移抑制技术研究,国家自然科学基金项目,2018-08-16,2023-03-31,结题