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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
性别：男
毕业院校：清华大学
学位：博士
所在单位：控制科学与工程学院
学科：微电子学与固体电子学. 凝聚态物理. 控制理论与控制工程
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偏压应力下SiC/SiO2界面间隙碳缺陷的结构和电学性质演变
点击次数：
论文类型：期刊论文
论文编号：382363
发表时间：2023-06-25
发表刊物：固体电子学研究与进展
卷号：43
期号：3
页面范围：208-213
ISSN号：1000-3819
关键字：SiC; 偏压应力; 态密度; 界面缺陷; 第一性原理; 缺陷构型
CN号：32-1110/TN