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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：清华大学
学位：博士
所在单位：控制科学与工程学院
学科：微电子学与固体电子学. 凝聚态物理. 控制理论与控制工程
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栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响
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论文类型：期刊论文
论文编号：374832
发表时间：2023-04-03
发表刊物：半导体技术
卷号：48
期号：06
页面范围：463-469
ISSN号：1003-353X
关键字：gate-oxide layer trap charge; interface trap charge; mobile charge; SiC MOSFET; threshold voltage instability
CN号：13-1109/TN