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论文类型：会议论文

发表时间：2009-08-16

页面范围：76-78

关键字：宽带隙半导体;碳化硅;漂移速度;击穿电场;热导率

摘要：宽带隙半导体碳化硅(SiC)材料具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，在高耐压、高温高频和抗辐射器件方面能够实现硅材料无法实现的高功率低损耗等优异性能，在电力系统、电动汽车、通讯、航天和军事等领域中具有广泛应用，其研究广为关注。本文现借此机会结合国际国内研究现状介绍其主要研究进展。