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论文类型：期刊论文

发表时间：2011-09-20

发表刊物：电力电子技术

收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD

卷号：45

期号：9

页面范围：35-37

ISSN号：1000-100X

关键字：碳化硅;功率器件;电学特性;器件仿真

摘要：4H-SiC JBS器件具有通态电压较高、泄漏电流较大、静态功耗较高等缺点.为探索改善这些缺点的理论方法和技术途径,提出一种沟槽P型PN结肖特基势垒复合4H-SiC二极管.采用Silvaco TCAD对该器件的正向导通特性和反向阻断特性进行仿真,仿真结果表明,与具有类似参数的传统4H-SiC JBS相比,该器件具有更低的通态电阻、更小的反向泄漏电流及更低的静态功耗,更适合高频大功率低功耗电力电子系统应用.