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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：清华大学
学位：博士
所在单位：控制科学与工程学院
学科：微电子学与固体电子学. 凝聚态物理. 控制理论与控制工程
电子邮箱：dwang121@dlut.edu.cn
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SiC MOS界面氮等离子体改性及电学特性评价
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论文类型：期刊论文
发表时间：2009-06-25
发表刊物：固体电子学研究与进展
收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD、Scopus
卷号：29
期号：2
页面范围：310-314
ISSN号：1000-3819
关键字：二氧化硅/碳化硅界面;金属氧化物半导体电窖;氮等离子体;界面态密度
摘要：降低SiO2/SiC界面态密度是SiC MOS器件研究中的关键技术问题.采用氮等离子体处理SiO2/SiC界面,制作MOS电容后通过I-V、C-V测试进行氧化膜可靠性及界面特性评价,获得的氧化膜击穿场强约为9.96 MV/cm,SiO2/SiC势垒高度2.70 eV.同时在费米能级附近SiO2/SiC的界面态密度低减至2.27×1012cm-2eV.实验结果表明,氮等离子体处理SiO2/SiC界面后能有效降低界面态密度,改善MOS界面特性.