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论文类型：期刊论文

发表时间：2003-10-23

发表刊物：半导体技术

收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD

卷号：28

期号：10

页面范围：27-32

ISSN号：1003-353X

关键字：化学机械抛光;材料去除机理;CMP系统过程变量

摘要：目前半导体制造技术已经跨入0.13 μ m和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35 μ m以下IC制造不可缺少的技术.CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有完全理解、CMP系统过程变量和技术等方面的许多问题还没有完全弄清楚.本文着重介绍了化学机械抛光材料去除机理以及影响硅片表面材料去除率和抛光质量的因素.