点击次数：

论文类型：期刊论文

发表时间：2004-07-23

发表刊物：半导体技术

收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD

卷号：29

期号：7

页面范围：30-34

ISSN号：1003-353X

关键字：铜布线;化学机械抛光;碟形;侵蚀;超大规模集成电路

摘要：铜的化学机械抛光(Cu-CMP)技术是ULSI多层金属布线结构制备中不可缺少的平坦化工艺.Cu-CMP后硅片表面的蝶形、侵蚀等平坦性缺陷将降低铜线的最终厚度和增大电阻率,从而降低器件性能和可靠性.而且可能进一步影响硅片的面内非均匀性(WIWUN),在多层布线中导致图案转移的不准确.本文介绍了对Cu-CMP平坦性的仿真、模拟和实验研究,并着重分析了碟形、侵蚀和WlWUN与抛光液、线宽和图案密度、抛光速度和载荷等相关参数的关系.