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论文类型：期刊论文

发表时间：2004-06-23

发表刊物：半导体技术

收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD

卷号：29

期号：6

页面范围：24-29,37

ISSN号：1003-353X

关键字：硅片;化学机械抛光;平坦化;终点检测

摘要：化学机械抛光是硅片全局平坦化的核心技术,然而在实用阶段上,这项技术还受限于一些制造系统整合上的问题,其中有效的终点检测系统是影响抛光成效的重要关键.若未能有效地监测抛光运作,便无法避免硅片产生抛光过度或不足的缺陷.本文在介绍CMP机制与应用的基础上,系统分析了CMP终点检测技术的研究现状及存在的问题.