何宜谦

个人信息Personal Information

教授

博士生导师

硕士生导师

性别:男

毕业院校:大连理工大学

学位:博士

所在单位:力学与航空航天学院

学科:计算力学. 工程力学. 固体力学

办公地点:工程力学系-205

联系方式:0411-84706172

电子邮箱:heyiqian@dlut.edu.cn

扫描关注

论文成果

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

晶圆级芯片尺寸封装Sn-3.0Ag-0.5Cu 焊点跌落失效模式

点击次数:

论文类型:期刊论文

发表时间:2016-06-01

发表刊物:中国有色金属学报(英文版)

收录刊物:ISTIC、CSCD、SCIE、EI

卷号:26

期号:6

页面范围:1663-1669

ISSN号:1003-6326

关键字:Sn-3.0Ag-0.5Cu;晶圆级芯片尺寸封装;焊点;跌落失效模式

摘要:依据 JEDEC 标准采用板级跌落实验研究晶圆级芯片尺寸封装 Sn?3.0Ag?0.5Cu 焊点的跌落失效模式。发现存在六种失效模式,即发生在印刷电路板(PCB)侧的短 FR-4裂纹和完全 FR-4裂纹,以及发生在芯片侧的再布线层(RDL)与 Cu 凸点化层开裂、RDL 断裂、体钎料裂纹及体钎料与界面金属间化合物(IMC)混合裂纹。对于最外侧的焊点,由于 PCB 变形量较大且 FR-4介质层强度较低,易于形成完全 FR-4裂纹,其可吸收较大的跌落冲击能量,从而避免了其它失效模式的发生。对于内侧的焊点,先形成的短 FR-4裂纹对跌落冲击能量的吸收有限,导致在芯片侧发生失效。