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论文类型：期刊论文
发表时间：2013-06-15
发表刊物：发光学报
收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus
卷号：34
期号：6
页面范围：744-747
ISSN号：1000-7032
关键字：LED;相分离;插入层
摘要：利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延生长了具有低温插入层结构的绿光LED,研究了具有插入层结构的LED的发光特性.插入层的引入增加了In在量子阱中的并入,并且引起了波长红移.经过分析,认为是In的相分离和极化场带来的红移,且恶化了器件的性能.