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论文类型：期刊论文
发表时间：2006-01-15
发表刊物：材料导报
收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD
卷号：20
期号：1
页面范围：104-108
ISSN号：1005-023X
关键字：ZnO薄膜;p型掺杂;第一性原理;MOCVD;MBE
摘要：ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多优异的的光电性能.但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂.ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题.目前在p型ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展,对此进行了详细的分析与论述,并且展望了p型ZnO薄膜制备的前景.