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论文类型：期刊论文

发表时间：2014-04-30

发表刊物：功能材料

收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

卷号：45

期号：8

页面范围：8129-8133

ISSN号：1001-9731

关键字：多孔硅 电子束注入 吸杂 电阻率 porous silicon electron beam injection gettering resistivity

摘要：研究了电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响。采用电化学腐蚀方法利用双电解槽在单晶硅片上制备多孔硅。电子束注入以后多孔硅的微观形貌发生了变化，通过3 min的电子束注入处理，硅片的电阻率发生了明显的改变，大于相同条件下经过快速热处理的硅片的电阻率，这充分证明了电子束注入有热效应与电场效应的双重作用，对去除杂质B有一定的效果。电子束注入时间对去除杂质的效果有一定的影响。