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工程师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
所在单位：集成电路学院
电子邮箱：lyang@dlut.edu.cn
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Degradation Mechanism of Crystalline Quality and Luminescence in In0.42Ga0.58N/GaN Double Heterostructures with Porous InGaN Layer
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发表时间：2022-10-06
发表刊物：Journal of Physical Chemistry C
卷号：121
期号：33
页面范围：18095-18101
ISSN号：1932-7447