The influence of reactor height adjustment on properties in GaN films grown on 6H-SiC by metal organic chemical vapor deposition
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发表时间：2022-10-03
发表刊物：JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE MATERIALS IN ELECTRONICS
所属单位：光电工程与仪器科学学院
卷号：25
期号：10
页面范围：4268-4272
ISSN号：0957-4522