|
个人信息Personal Information
工程师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
所在单位：集成电路学院
电子邮箱：lyang@dlut.edu.cn
扫描关注
Improvement of the quality of GaN epilayer by combining a SiNx interlayer and changed GaN growth mode
点击次数：
发表时间：2022-10-03
发表刊物：JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE MATERIALS IN ELECTRONICS
卷号：24
期号：8
页面范围：2716-2720
ISSN号：0957-4522