Improvement of the quality of GaN epilayer by combining a SiNx interlayer and changed GaN growth mode
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发表时间：2022-10-03
发表刊物：JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE MATERIALS IN ELECTRONICS
卷号：24
期号：8
页面范围：2716-2720
ISSN号：0957-4522
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发表刊物：JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE MATERIALS IN ELECTRONICS
卷号：24
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ISSN号：0957-4522