柳阳

个人信息Personal Information

工程师

性别:男

毕业院校:大连理工大学

学位:硕士

所在单位:集成电路学院

电子邮箱:lyang@dlut.edu.cn

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专利

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一种基于SiC衬底的垂直结构GaN基紫外LED及其制备方法

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第一作者:梁红伟

发明设计人:柳阳,杜国同,申人升,夏晓川

申请号:CN201410006227.7

授权日期:2014-01-07

授权号:CN103730549A