柳阳

个人信息Personal Information

工程师

性别:男

毕业院校:大连理工大学

学位:硕士

所在单位:集成电路学院

电子邮箱:lyang@dlut.edu.cn

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专利

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一种用于高质量氧化物半导体材料制备的MOCVD加热盘

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第一作者:柳阳

发明设计人:梁红伟,夏晓川,申人升,陈远鹏

申请号:CN201710261163.9

授权日期:2017-04-21

授权号:CN107083541A