柳阳

个人信息Personal Information

工程师

性别:男

毕业院校:大连理工大学

学位:硕士

所在单位:集成电路学院

电子邮箱:lyang@dlut.edu.cn

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专利

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空穴导电特性氧化镓膜的制备方法及空穴导电特性氧化镓膜

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第一作者:梁红伟

发明设计人:夏晓川,柳阳,申人升,杜国同,胡礼中

申请号:CN201310414275.5

授权日期:2013-09-12

授权号:CN103469173A