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个人信息Personal Information
工程师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
所在单位：集成电路学院
电子邮箱：lyang@dlut.edu.cn
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在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜
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第一作者：夏晓川
发明设计人：柳阳,申人升,梁红伟,杜国同,胡礼中
申请号：CN201310401102.X
授权日期：2013-09-05
授权号：CN103456603A