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个人信息Personal Information
工程师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
所在单位：集成电路学院
电子邮箱：lyang@dlut.edu.cn
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一种带有InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN薄膜及其制备方法
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第一作者：梁红伟
发明设计人：刘建勋,柳阳,夏晓川,杜国同,蒋建华,闫晓密
所属单位：微电子学院
申请号：CN105390532A
授权号：CN201510712168.X