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个人信息Personal Information
副教授
硕士生导师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：博士
所在单位：物理学院
学科：凝聚态物理
办公地点：大连理工大学物理学院三束材料改性教育部重点实验室厚望楼220房间
电子邮箱：chunyuma@dlut.edu.cn
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反应射频磁控溅射法制备HfTaO薄膜的结构和光学性能
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论文类型：会议论文
发表时间：2011-05-17
页面范围：1
关键字：HfTaO薄膜;磁控溅射;光学性能;热学稳定性
摘要：随着超大规模集成电路集成度的提高,半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小。高性能CMOS器件的栅介质层等效氧化物厚度(EOT)会缩小到1nm以下,传统的SiO2栅介质受隧穿效应的影响,栅漏电流过大。因此需要寻找新