点击次数：

论文类型：期刊论文

发表时间：2011-01-01

发表刊物：功能材料

收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：42

期号：10

页面范围：1881-1885

ISSN号：1001-9731

关键字：氮掺杂; 生长机制; 光学特性

摘要：利用反应射频磁控溅射技术，首次利用氧化铜作为溅射靶，在氮气和氩气的混合气氛下，制备出N掺杂的Cu_2O薄膜。通过改变沉积温度，研究了氮掺杂Cu_
   2O薄膜的结构特征和生长模式以及光学特性。研究结果表明低温沉积时，薄膜表现为比较强的(100)织构；随着沉积温度增加到500℃，薄膜逐渐转变为(
   111)织构，沉积温度增加导致的临界成核自由能的增加是决定薄膜织构特征的重要因素；原子力显微镜分析发现不同沉积温度的薄膜表面形貌的空间标度指数
   alpha>1，属于表面扩散支配的薄膜生长机制；薄膜表面形貌的空间标度指数和关联长度随沉积温度的变化与薄膜织构度之间存在明显的关联；不同温度沉积
   的氮掺杂Cu_2O薄膜的禁带宽度为(2.520.03)eV。