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论文类型：会议论文

发表时间：2009-07-20

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关键字：等离子体增强非平衡磁控溅射;a-CNx;射频负偏压;低介电常数

摘要：采用MW-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术,通过改变N2流量、N2气压和基底射频负偏压(V)在(100)p型Si基片上沉积a-CNx膜。用XPS,FTIR,激光Raman,Nanoindenter和C-V测试仪等研究了薄膜的结构、成分和性能。结果表明,CN膜次表面的N含量成梯度变化,由表31atm%逐渐降至13atm%,随后趋于稳定;N/C比随N2气压的升高而增加,随基底负偏压的升高而显著降低;基片偏压升高使膜中C-N键增加,C=N和C≡N键减少,薄膜无序性增加,硬度由13Gpa增至30Gpa。此外,本文还研究了a-CNx膜成分及结构对其介电性能的影响。