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发布时间：2019-03-10

论文类型：期刊论文

发表时间：2012-05-25

发表刊物：真空

收录刊物：ISTIC

卷号：49

期号：3

页面范围：47-50

ISSN号：1002-0322

关键字：多晶硅薄膜;电感耦合等离子体;磁控溅射;拉曼散射;红外光谱

摘要：利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射技术在200℃成功制备出多晶硅薄膜.详细介绍了等离子体源辅助磁控溅射技术制备多晶硅的工艺过程,并对辅助等离子体源放电功率对硅薄膜结晶度的影响进行了研究.利用拉曼散射、X射线衍射、傅里叶红外光谱对所制备的硅薄膜进行了表征.