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张赫之
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副教授   博士生导师   硕士生导师

性别: 男

出生日期: 1986-10-08

毕业院校: 巴黎十一大学

学位: 博士

所在单位: 集成电路学院

学科: 微电子学与固体电子学

办公地点: 主楼东侧426

联系方式: hez.zhang@dlut.edu.cn

电子邮箱: hez.zhang@dlut.edu.cn

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个人简介

张赫之,大连理工大学微电子学院副教授。2016年5月在法国巴黎十一大学(universite de Paris sud)获得博士学位,师从法国国家科学院研究员Maria Tchernycheva。2016年8月,加入瑞士联邦理工大学(EPFL),在Nicolas Grandjean教授研究组从事博士后研究员。本人博士及博后期间长期从事第三代宽禁带半导体器件的研究。研究领域包括:宽禁带半导体材料,电力电子与光电器件等。与国外多家公司合作包括美国公司GLO,瑞士公司exalos等。工作成果多次发表在ACS applied material andinterface,Applied physics letter,Nanotechnology等高水平期刊上。总共发表论文30余篇,其中第一作者8篇,总引用次数800多次。所做工作多次在国际著名会议IWN,CSW等报告。


教育经历

2012.11 - 2016.5 巴黎十一大学   光电子   博士

2009.9 - 2012.7 大连理工大学   微电子与固体电子   硕士

2005.9 - 2009.7 东北大学   物理学   学士

2002.9 - 2005.7 大连市第八中学   \

工作经历

2019.10 - 至今 大连理工大学微电子学院   副教授

2016.8 - 2019.2 洛桑理工(瑞士)   博士后

研究方向

宽禁带半导体光电子器件


宽禁带半导体电子电力器件


宽禁带/超宽禁带半导体材料与器件(III-Nitride, ZnO, Ga2O3)

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