张赫之，大连理工大学微电子学院副教授。2016年5月在法国巴黎十一大学(universite de Paris sud)获得博士学位，师从法国国家科学院研究员Maria Tchernycheva。2016年8月，加入瑞士联邦理工大学(EPFL)，在Nicolas Grandjean教授研究组从事博士后研究员。本人博士及博后期间长期从事第三代宽禁带半导体器件的研究。研究领域包括：宽禁带半导体材料，电力电子与光电器件等。与国外多家公司合作包括美国公司GLO，瑞士公司exalos等。工作成果多次发表在ACS applied material andinterface,Applied physics letter,Nanotechnology等高水平期刊上。总共发表论文30余篇，其中第一作者8篇,总引用次数800多次。所做工作多次在国际著名会议IWN,CSW等报告。

2012.11 - 2016.5

巴黎十一大学   光电子   博士

2009.9 - 2012.7

大连理工大学   微电子与固体电子   硕士

2005.9 - 2009.7

东北大学   物理学   学士

2002.9 - 2005.7

大连市第八中学   \

2019.10 - 至今

大连理工大学微电子学院   副教授

2016.8 - 2019.2

洛桑理工(瑞士）   博士后

宽禁带半导体光电子器件

---

宽禁带半导体电子电力器件

---

宽禁带/超宽禁带半导体材料与器件(III-Nitride, ZnO, Ga2O3）