副教授 博士生导师 硕士生导师
性别: 男
出生日期: 1986-10-08
毕业院校: 巴黎十一大学
学位: 博士
所在单位: 集成电路学院
学科: 微电子学与固体电子学
办公地点: 主楼东侧426
联系方式: hez.zhang@dlut.edu.cn
电子邮箱: hez.zhang@dlut.edu.cn
开通时间: ..
最后更新时间: ..
张赫之,大连理工大学微电子学院副教授。2016年5月在法国巴黎十一大学(universite de Paris sud)获得博士学位,师从法国国家科学院研究员Maria Tchernycheva。2016年8月,加入瑞士联邦理工大学(EPFL),在Nicolas Grandjean教授研究组从事博士后研究员。本人博士及博后期间长期从事第三代宽禁带半导体器件的研究。研究领域包括:宽禁带半导体材料,电力电子与光电器件等。与国外多家公司合作包括美国公司GLO,瑞士公司exalos等。工作成果多次发表在ACS applied material andinterface,Applied physics letter,Nanotechnology等高水平期刊上。总共发表论文30余篇,其中第一作者8篇,总引用次数800多次。所做工作多次在国际著名会议IWN,CSW等报告。
2012.11 - 2016.5 | 巴黎十一大学 光电子 博士 |
2009.9 - 2012.7 | 大连理工大学 微电子与固体电子 硕士 |
2005.9 - 2009.7 | 东北大学 物理学 学士 |
2002.9 - 2005.7 | 大连市第八中学 \ |
2019.10 - 至今 | 大连理工大学微电子学院 副教授 |
2016.8 - 2019.2 | 洛桑理工(瑞士) 博士后 |
宽禁带半导体光电子器件
宽禁带半导体电子电力器件
宽禁带/超宽禁带半导体材料与器件(III-Nitride, ZnO, Ga2O3)