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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：德国卡尔斯鲁厄工业大学
学位：博士
所在单位：材料科学与工程学院
学科：材料物理与化学. 微电子学与固体电子学
办公地点：辽宁省大连市高新园区凌工路2号
大连理工大学新三束实验室412
电子邮箱：zhoudayu@dlut.edu.cn
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Effects of Hf buffer layer at the Y-doped HfO2/Si interface on ferroelectric characteristics of Y-doped HfO(2 )films formed by reactive sputtering
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发表时间：2018-01-01
发表刊物：CERAMICS INTERNATIONAL
卷号：44
期号：11
页面范围：12841-12846
ISSN号：0272-8842