
教授 博士生导师 硕士生导师
性别:男
毕业院校:德国卡尔斯鲁厄工业大学
学位:博士
所在单位:材料科学与工程学院
学科:材料物理与化学
微电子学与固体电子学
办公地点:辽宁省大连市高新园区凌工路2号
大连理工大学材料科学与工程学院
知远楼A415
电子邮箱:
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发布时间:2022-08-30
发表时间:2021-01-01
发表刊物:功能材料
卷号:52
期号:07
页面范围:7012-7017
摘要:利用射频反应磁控溅射法制备了大面积原子级平滑的TiN薄膜电极,针对衬底偏压对TiN电极性能与结构的影响进行了系统探究。采用四探针方阻测试仪、XPS、GIXRD和AFM等测试手段对TiN薄膜电极的电阻率、化学成分、择优取向、表面形貌及薄膜均匀性进行表征分析。结果表明,施加-200 V衬底偏压可获得超低电阻率的TiN薄膜电极。采用最佳衬底偏压在4英寸单晶硅衬底上沉积的TiN电极薄膜具有较好的均匀一致性。最后将该TiN薄膜电极集成在HfO2薄膜电容器中,该电容器展现出良好的顺电性能和低漏电特性。
备注:新增回溯数据