赵宁

Professor   Supervisor of Doctorate Candidates   Supervisor of Master's Candidates

Main positions:材料科学与工程学院副院长

Gender:Male

Alma Mater:Dalian University of Technology

Degree:Doctoral Degree

School/Department:School of Materials Science and Engineering

Discipline:Materials Science

E-Mail:zhaoning@dlut.edu.cn


Paper Publications

Dominant effect of high anisotropy in beta-Sn grain on electromigration-induced failure mechanism in Sn-3.0Ag-0.5Cu interconnect

Hits:

Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2016-09-05

Journal:JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS

Included Journals:SCIE、EI、Scopus

Volume:678

Page Number:370-374

ISSN No.:0925-8388

Key Words:Anisotropy; Intermetallics; Diffusion; Grain boundaries; Microstructure; Scanning electron microscopy

Abstract:The effect of high diffusivity anisotropy in beta-Sn grain on electromigration behavior of micro-bumps was clearly demonstrated using Sn-3.0Ag-0.5Cu solder interconnects with only two beta-Sn grains. The orientation of beta-Sn grain (theta is defined as the angle between the c-axis of beta-Sn grain and the electron flow direction) is becoming the most crucial factor to dominate the different electromigration-induced failure modes: 1) the excessive dissolution of the cathode Cu, blocking at the grain boundary and massive precipitation of columnar Cu6Sn5 intermetallic compounds ( IMCs) in the small angle q beta-Sn grain occur when electrons flow from a small angle theta beta-Sn grain to a large one; 2) void formation and propagation occur at the cathode IMC/solder interface and no Cu6Sn5 IMCs precipitate within the large angle theta beta-Sn grain when electrons flow in the opposite direction. The EM-induced failure mechanism of the two beta-Sn grain solder interconnects is well explained in viewpoint of atomic diffusion flux in beta-Sn. (C) 2016 Elsevier B.V. All rights reserved.

Pre One:In situ study on interfacial reactions of Cu/Sn-9Zn/Cu solder joints under temperature gradient

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Profile

赵宁,工学博士,教授,博士生导师,现任材料科学与工程学院副院长。《Scientific Reports》期刊编委,IEEE会员、IEEE-EPS会员,中国电子学会(电子制造与封装技术分会)、中国材料研究学会、中国机械工程学会高级会员。

2003年本科毕业于东北大学材料物理专业,2008年博士毕业于大连理工大学材料学专业。2009年至2011年在中科院微电子研究所系统封装技术研究室从事博士后研究,2011年加入大连理工大学材料学院,同年评为副教授,2017年评为博士生导师,2018年评为教授。2016年至2017年在美国佐治亚理工学院做访问学者,合作学者为美国工程院院士、中国工程院外籍院士C.P. Wong教授。

主要从事电子封装微互连材料与技术的基础理论及应用研究,重点围绕微互连方法与成型机理,微焊点晶粒生长调控、组织演变、热迁移行为与可靠性测试分析,晶圆级互连技术,无铅焊料及BGA焊球开发与组织控制,低电阻率电镀铜膜/线等方面开展深入研究。

主持国家自然科学基金(4项)、省部级科研项目十余项,参与多项国家科技重大专项等项目。在Acta Mater.、Mater. Des.、J. Mater. Sci. Tech.、Appl. Phys. Lett.、Scripta Mater.、J. Mater. Process. Tech.、Sci. Rep.、J. Alloys Compd.、Appl. Surf. Sci.、Mater. Charact.、Intermetallics、Mater. Res. Bull.、J. Appl. Phys.、Mater. Lett.、Mater. Chem. Phys.、J. Mater. Res.、J. Electron. Mater.、物理学报、金属学报、中国有色金属学报(英文版)、稀有金属材料与工程等期刊上发表学术论文100余篇;在ECTC、ICEPT、CSTIC、EPTC等国际学术会议上发表EI论文60余篇,5次获得最佳论文奖;获中国发明专利授权25项。入选辽宁省“百千万人才工程”、大连市高层次人才计划。

指导学生:

在读硕士生11人,博士生6人。

已毕业博士生3、硕士生15人。

指导研究生多次获得国家奖学金、省优秀毕业生、市三好学生、校优秀博士/硕士研究生、优秀学位论文等荣誉。

 

欢迎有意从事微电子制造、微电子封装行业,具有材料、机械、物理、微电子专业背景,勤奋好学、积极乐观的学子们加入本课题组!