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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：威尔大学
学位：博士
所在单位：机械工程学院
学科：微机电工程
办公地点：机械工程学院2号楼214-2
联系方式：办公电话：0411-84709754
电子邮箱：zouhl@dlut.edu.cn
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不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型
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论文类型：期刊论文
发表时间：1992-01-01
发表刊物：半导体学报
收录刊物：CSCD
卷号：13
期号：9
页面范围：528
ISSN号：0253-4177
关键字：氧化层; 界面; 多晶硅; 晶体管; 模型
摘要：本文提出了一个不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型,根据多晶/单晶硅界面的性质空穴分别以隧道方式或热发射方式通过界面的不同部位.计算机模拟的结果得到了类氧化层界面的连续性、多晶硅膜厚、类氧化层两边的界面态密度、类氧化层厚度和多晶/单晶硅界面杂质浓度峰值等参数与多晶硅发射极晶体管(PET)电学特性的关系.