|
个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：女
毕业院校：大连理工大学
学位：博士
所在单位：物理学院
学科：等离子体物理
办公地点：物理学院305
联系方式：0411-84707939
电子邮箱：songyh@dlut.edu.cn
扫描关注
双频容性耦合Ar/CF_4等离子体中双频源参数对刻蚀微观不均匀性影响的研究
点击次数：
论文类型：会议论文
发表时间：2013-08-15
页面范围：1
关键字：容性耦合;Ar/CF_4;不均匀性;半导体集成电路;物理化学过程;微电子器件;鞘层;特征尺度;电子温度;制造工艺;
摘要：引言经过近几十年的快速发展,半导体集成电路中微电子器件制造工艺的特征尺度己小于几十纳米。在这样的尺度下,依赖深宽比的刻蚀(ARDE),微负载(micro loading),旁刻(notching)等微观不均匀性制约了特征尺度的进一步减小。碳氟基气体放电等离子体常用于SiO_2介质刻蚀中,其表面反应的物理化学过程复杂,需要通过优化工艺