Release Time:2019-03-11  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2007-06-15

Journal: 核聚变与等离子体物理

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、Scopus

Volume: 27

Issue: 2

Page Number: 163-167

ISSN: 0254-6086

Key Words: 椭偏仪;非晶碳氢膜;沉积;刻蚀;光学参数

Abstract: 利用在线椭偏仪对非晶碳氢膜进行了光学常数、沉积率和刻蚀率的测量.在无直流负偏压或偏压较小时,薄膜呈现聚合物结构,折射率和消光系数较小;当增加直流负偏压时,薄膜的折射率和消光系数显著提高,所成膜为硬质非晶碳氢膜.在以CH4作为气源进行沉积时,随着偏压的增加,沉积率先升高再降低,在偏压为-100V时,沉积率为最大.H2/N2(30%N2)的混合气体的刻蚀率要比单独用H2作为刻蚀气体的刻蚀率要大.对于CH4/N2(30%N2),在偏压从0V增加到300V过程中,在大约50V时,基底上的薄膜有一个从沉积到刻蚀的转化过程.