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Indexed by:会议论文
Date of Publication:2009-07-20
Page Number:1
Key Words:氮化硅薄膜;薄膜研究;ECR;SiN_x;非平衡磁控溅射;等离子体源;自润滑性;PECVD;物理气相沉积;半导体芯片;
Abstract:氮化硅薄膜具有高的化学稳定性、优良的机械性能和抗氧化、抗腐蚀特性,还具有高硬度和和自润滑性,在半导体芯片和光伏产业中获得广泛应用。目前制备氮化硅薄膜最常采用的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法需要使用危险性气体和昂贵的尾气处理系统,探索采用物理气相沉积(PVD)方法制备氮化硅薄膜具有现实的意义。
