ECR-PECVD方法低温制备多晶硅薄膜
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Indexed by: Journal Article
Date of Publication: 2006-05-03
Journal: 半导体技术
Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU
Volume: 31
Issue: 5
Page Number: 342-345
ISSN: 1003-353X
Key Words: 多晶硅薄膜;化学汽相淀积;低温
Abstract: 采用ECR-PECVD低温沉积方法,以质量分数为5%的SiH4(配Ar气,SiH4:Ar=1:19)和H2为反应气体,在普通玻璃和单晶硅片衬底上直接沉积多晶硅薄膜,以期寻找到适合大规模工业化生产的方法.当衬底温度为500℃时,即能沉积高质量的多晶硅薄膜.沉积前,H2等离子体的清洗时间和流量对多晶薄膜的质量有较大的影响.通过与其他反应气体相比较,我们制备的多晶硅薄膜不含杂质.