Release Time:2019-10-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2007-07-15

Journal: 半导体学报

Included Journals: CSCD、EI、Scopus

Volume: 28

Issue: 7

Page Number: 1053-1057

ISSN: 0253-4177

Key Words: ECR-PEMOCVD;稀磁半导体;GaMnN;室温铁磁性;居里温度

Abstract: 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X射线衍射分析表明薄膜为六方结构,沿c轴方向生长,结晶性良好.AFM显示薄膜是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)测量显示在室温下薄膜依然具有铁磁性,居里温度约为400K.