Release Time:2019-10-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 1998-01-01

Journal: 半导体学报

Included Journals: CSCD

Volume: 19

Issue: 4

Page Number: 241

ISSN: 0253-4177

Key Words: GaAs衬底; 异质外延; GaN薄膜; 界面

Abstract: 用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）法，在低温条件下，在（００１）ＧａＡｓ衬底上异质外延，生长了立方晶ＧａＮ薄膜．高分辩电镜（ＨＲＥＭ）观测与Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测量结果表明：ＧａＮ薄膜具有典型的闪锌矿结构；三种方法测得其晶格常数为０．４５１～０．４５７ｎｍ；在ＧａＮ／ＧａＡｓ界面处的生长模式为异质外延；ＧａＮ薄膜中的位错主要为堆垛层错与刃形位错；随着远离界面，ＧａＮ中位错密度与镶嵌组织迅速减少．