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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2007-10-15
Journal:半导体光电
Included Journals:Scopus、PKU、ISTIC、CSCD
Volume:28
Issue:5
Page Number:685-689
ISSN No.:1001-5868
Key Words:多晶硅薄膜;中间层;ECR-PECVD
Abstract:采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术,以SiH4和H2为气源,在350 ℃的低温条件下,在普通玻璃衬底上沉积了多晶硅薄膜.主要考察了中间层对多晶硅薄膜沉积质量的影响.实验证明,当中间层的沉积温度为350 ℃,H2流量为20 sccm时,得到多晶硅薄膜晶粒的直径最大,为53 nm;且随着中间层沉积温度的提高,薄膜的结晶度提高.
