Release Time:2019-10-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2007-10-15

Journal: 半导体光电

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、Scopus

Volume: 28

Issue: 5

Page Number: 685-689

ISSN: 1001-5868

Key Words: 多晶硅薄膜;中间层;ECR-PECVD

Abstract: 采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术,以SiH4和H2为气源,在350 ℃的低温条件下,在普通玻璃衬底上沉积了多晶硅薄膜.主要考察了中间层对多晶硅薄膜沉积质量的影响.实验证明,当中间层的沉积温度为350 ℃,H2流量为20 sccm时,得到多晶硅薄膜晶粒的直径最大,为53 nm;且随着中间层沉积温度的提高,薄膜的结晶度提高.