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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:1998-03-04
Journal:稀有金属
Included Journals:PKU
Volume:22
Issue:2
Page Number:143-145
ISSN No.:0258-7076
Key Words:立方GaN;低温生长;活化氮源;ECR-PAMOCVD
Abstract:研究了以 (001) GaAs为衬底的用ECR-PAMOCVD法生长的立方GaN薄膜的主要性质, 阐述了实验过程与生长用设备. 在生长过程中, 衬底温度约为600℃, 反应器内压力约0.4 Pa.
