Release Time:2019-10-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 1998-03-04

Journal: 稀有金属

Included Journals: PKU

Volume: 22

Issue: 2

Page Number: 143-145

ISSN: 0258-7076

Key Words: 立方GaN;低温生长;活化氮源;ECR-PAMOCVD

Abstract: 研究了以 (001) GaAs为衬底的用ECR-PAMOCVD法生长的立方GaN薄膜的主要性质, 阐述了实验过程与生长用设备. 在生长过程中, 衬底温度约为600℃, 反应器内压力约0.4 Pa.