Release Time:2019-10-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 1997-01-01

Journal: 核聚变与等离子体物理

Included Journals: CSCD、PKU

Volume: 17

Issue: 3

Page Number: 45

ISSN: 0254-6086

Key Words: 电子能量分布; 空间电位; 麦克斯韦分布; 活化作用

Abstract: 为了对ＧａＮ薄膜低温生长提供更多的活性氮，在一个腔耦合电子回旋共振（ＥＣＲ）半导体加工装置上，用朗谬探针和二次微分理论，研究了氮ＥＣＲ等离子体的实际电子能量分布。发现它们都是非麦克斯韦分布，含有高能电子，而且随着放电气压的下降和微波功率的增加，高能电子成分增加。