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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:1997-01-01
Journal:核聚变与等离子体物理
Included Journals:PKU、CSCD
Volume:17
Issue:3
Page Number:45
ISSN No.:0254-6086
Key Words:电子能量分布; 空间电位; 麦克斯韦分布; 活化作用
Abstract:为了对ＧａＮ薄膜低温生长提供更多的活性氮，在一个腔耦合电子回旋共振（ＥＣＲ）半导体加工装置上，用朗谬探针和二次微分理论，研究了氮ＥＣＲ等离子体的实际电子能量分布。发现它们都是非麦克斯韦分布，含有高能电子，而且随着放电气压的下降和微波功率的增加，高能电子成分增加。
