Release Time:2019-10-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 1998-02-14

Journal: 半导体技术

Included Journals: PKU

Issue: 01

Page Number: 38-40

ISSN: 1003-353X

Key Words: 氮化镓;MOCVD;等离子体低温外延

Abstract: 给出了用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学汽相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）技术和在低温（≤６００℃）、极低气压（≤１Ｐａ）下生长ＧａＮ外延膜的装置、工艺及实验结果。并与以往的ＧａＮ外延技术进行了比较，说明了这种新的低温外延技术的独特优点。