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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:1998-02-14
Journal:半导体技术
Included Journals:PKU
Issue:01
Page Number:38-40
ISSN No.:1003-353X
Key Words:氮化镓;MOCVD;等离子体低温外延
Abstract:给出了用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学汽相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）技术和在低温（≤６００℃）、极低气压（≤１Ｐａ）下生长ＧａＮ外延膜的装置、工艺及实验结果。并与以往的ＧａＮ外延技术进行了比较，说明了这种新的低温外延技术的独特优点。
