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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2009-06-25

Journal:固体电子学研究与进展

Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

Volume:29

Issue:2

Page Number:310-314

ISSN No.:1000-3819

Key Words:二氧化硅/碳化硅界面;金属氧化物半导体电窖;氮等离子体;界面态密度

Abstract:降低SiO2/SiC界面态密度是SiC MOS器件研究中的关键技术问题.采用氮等离子体处理SiO2/SiC界面,制作MOS电容后通过I-V、C-V测试进行氧化膜可靠性及界面特性评价,获得的氧化膜击穿场强约为9.96 MV/cm,SiO2/SiC势垒高度2.70 eV.同时在费米能级附近SiO2/SiC的界面态密度低减至2.27×1012cm-2eV.实验结果表明,氮等离子体处理SiO2/SiC界面后能有效降低界面态密度,改善MOS界面特性.