Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2009-06-25

Journal: 固体电子学研究与进展

Included Journals: Scopus、CSCD、ISTIC、PKU

Volume: 29

Issue: 2

Page Number: 310-314

ISSN: 1000-3819

Key Words: 二氧化硅/碳化硅界面;金属氧化物半导体电窖;氮等离子体;界面态密度

Abstract: 降低SiO2/SiC界面态密度是SiC MOS器件研究中的关键技术问题.采用氮等离子体处理SiO2/SiC界面,制作MOS电容后通过I-V、C-V测试进行氧化膜可靠性及界面特性评价,获得的氧化膜击穿场强约为9.96 MV/cm,SiO2/SiC势垒高度2.70 eV.同时在费米能级附近SiO2/SiC的界面态密度低减至2.27×1012cm-2eV.实验结果表明,氮等离子体处理SiO2/SiC界面后能有效降低界面态密度,改善MOS界面特性.