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Type of Patent:Invention

School Sign:大连理工大学

Patent description:本发明属于Ⅲ族氮化物薄膜和器件制造领域，特别涉及聚酰亚胺衬底上的氮化镓基薄膜及其制备方法，具体是以聚酰亚胺为衬底，首先使用ECR-PEMOCVD方法在聚酰亚胺衬底上依次制备第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层，接着使用磁控溅射方法在第二氧化硅层上制备Ni层，然后使用ECR-PEMOCVD方法在Ni层与第二氧化硅层的界面上制备石墨烯层，再使用湿法腐蚀方法去除Ni层，最后使用ECR-PEMOCVD方法在石墨烯层上依次制备AlxGayIn1-x-yN缓冲层和外延层。所制备的AlxGayIn1-x-yN薄膜可用于

Application Date:2017-10-25

Application Number:201710252532.8

Authorization Date:2019-02-21

Authorization number:CN201710252532.8

Service Invention or Not:yes