Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2000-11-30

Journal: 大连理工大学学报

Included Journals: CSCD、PKU、EI、Scopus

Volume: 19

Issue: 6

Page Number: 661-663

ISSN: 1000-8608

Key Words: 少数载流子;数值解/MOS结构;时变效应

Abstract: 为深入研究半导体表面过程,主要针对Zerbst方程,用数值拟合法,给出脉冲电压作用下MOS器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解, 进而得出与实验结果符合较好的表面少子时变关系解析式;分析了表面少子时变过程,为表面电荷转移器件的模拟分析提供了有力的工具.