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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2000-11-30
Journal:大连理工大学学报
Included Journals:Scopus、EI、PKU、CSCD
Volume:19
Issue:6
Page Number:661-663
ISSN No.:1000-8608
Key Words:少数载流子;数值解/MOS结构;时变效应
Abstract:为深入研究半导体表面过程,主要针对Zerbst方程,用数值拟合法,给出脉冲电压作用下MOS器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解, 进而得出与实验结果符合较好的表面少子时变关系解析式;分析了表面少子时变过程,为表面电荷转移器件的模拟分析提供了有力的工具.
