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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2000-03-30
Journal:半导体杂志
Issue:01
Page Number:35-39
ISSN No.:1005-3077
Key Words:深亚微米MOS器件
Abstract:本文从器件物理、器件结构和工艺等三个方面介绍了深亚微米器件。包括 :短沟道效应 ;LDD和SOI结构 ;移相掩模光刻技术和多层金属布线工艺。
Pre One:MOS表面反型层少子时变效应研究
Next One:等离子体技术在微细加工中的应用
