Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2000-03-30

Journal: 半导体杂志

Issue: 01

Page Number: 35-39

ISSN: 1005-3077

Key Words: 深亚微米MOS器件

Abstract: 本文从器件物理、器件结构和工艺等三个方面介绍了深亚微米器件。包括 :短沟道效应 ;LDD和SOI结构 ;移相掩模光刻技术和多层金属布线工艺。