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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2002-05-23
Journal:半导体技术
Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD
Volume:27
Issue:5
Page Number:69-72
ISSN No.:1003-353X
Key Words:等离子体损伤;器件的可靠性;半导休工艺
Abstract:介绍了微细加工中等离子体工艺对器件的损伤.主要有两种损伤模式:充电效应引起的损伤和辐射损伤.讨论了两种损伤模式的等离子体过程及损伤机制.